東芝は26日、記憶用半導体の「3次元フラッシュメモリー」で、韓国のサムスン電子を上回る48層の製造技術を世界で初めて開発し、サンプル出荷を開始したと正式に発表した。
現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上した。東芝は2016年前半から本格的に量産を始め、データセンターやスマートフォンなどで使われる大容量の記憶装置用に販売する。
記憶素子を垂直に積載する3次元メモリーは従来の製造方法よりも記憶容量が大幅に増え、次世代の半導体とされている。
東芝が開発した48層のメモリーは容量が128ギガ(ギガは10億)ビット。サムスンが昨年から量産を始めた32層の3次元メモリーも、容量は同水準とされる。