【大学発 日本 人と技術】日本を支える研究活動と技術開発 (1/7ページ)

2016.1.25 05:00

Geを用いた革新的半導体デバイス

Geを用いた革新的半導体デバイス【拡大】

 ■ゲルマニウムを基盤とする 半導体デバイス開発に着手

 <東京都市大学>

 総合研究所ナノエレクトロニクスセンター(東京都世田谷区)は、澤野憲太郎准教授がプロジェクト代表となり、ゲルマニウム(Ge)を基幹材料とする革新的な半導体デバイスの開発に取り組む。同センターではこれまで、シリコン(Si)をベースとしたデバイスとそのプロセス技術の研究・開発に注力してきたが、さらなる電力の低消費化、演算処理の高速化を目指し、Si上に集積可能なGeの利用を本格化させる。

 同大の研究の強みであるエピタキシャル成長や結晶の歪み制御、高効率Ge発光デバイスの各技術を生かしながら、2019年までに電子系・光系量子ナノデバイスの開発を目指す。また、センサーへの応用可能なGe量子デバイスとナノ・エレクトロ・メカニカル・システム(NEMS)との融合デバイスにも取り組む。

 同プロジェクトは、文部科学省の2015年度私立大学戦略的研究基盤形成支援事業に採択されている。

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