東芝　３次元メモリー、容量２５６ギガ４８層　世界初の開発

　東芝は４日、記憶用半導体の「３次元フラッシュメモリー」で、容量を２５６ギガ（ギガは１０億）ビットにまで高めた４８層のメモリーを世界で初めて開発し、９月からサンプル出荷を開始すると発表した。

　現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。２０１６年から量産を開始し、データセンターやスマートフォンなどで使われる大容量の記憶装置用に販売する。四日市工場（三重県四日市市）の第５製造棟で生産を始め、１６年前半に完成予定の新第２製造棟でも製造する予定。

　記憶素子を垂直に積載する３次元メモリーは、従来の製造方法よりも記憶容量が大幅に増え、小型化が可能。スマホなどの大きさを変えずに、保存できる写真や動画のデータ量が飛躍的に増えることが期待され、次世代の半導体とされる。製造コストがかかるのが課題だが、情報端末向けに開発競争は激化、需要は伸びる見通しだ。