世界初　東芝が６４層３Ｄメモリーの出荷開始　サムスン電子なども積極開発 (1/2ページ)

　東芝は２７日、６４層の３次元の記憶用半導体「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」のサンプル出荷を世界で初めて開始したと発表した。スマートフォンなどで使われるフラッシュメモリーは素子を積層し、容量を増やす３次元の製造技術が主流となりつつある。東芝は４８層で容量２５６ギガビットで生産してきたが、６４層の製造技術を開発した。２０１７年前半に容量２５６ギガビットで量産を開始する予定だが、将来的には５１２ギガビットの製品化も計画している。

　東芝は６４層の新製品で回路技術や製造過程を最適化し、チップサイズを小型化した。これにより、４８層タイプよりも単位面積当たりの容量を約１．４倍まで拡大した。新製品はデータセンターやパソコンで使われる記憶装置「ソリット・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）」向けやスマートフォンやタブレット端末向けに販売展開する。

韓国のサムスン電子や米マイクロン・テクノロジーなども３次元による量産技術の開発に積極的