東芝、容量２倍のフラッシュメモリーをサンプル出荷　首位サムスンに対抗

　東芝は２２日、記憶用半導体「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」で、従来品の２倍となる５１２ギガ（１ギガは１０億）ビットの情報を記憶できる製品を開発、２月上旬にサンプル出荷を始めたと発表した。大量の情報を扱うデータセンターなどの用途を開拓する。東芝の同半導体の世界シェアは２位。世界首位で、開発でも競い合う韓国サムスン電子などに対抗する。

　フラッシュメモリーは、半導体素子を積み重ねて容量を増やした３次元構造が主流となっている。東芝が開発したのは素子を６４層重ねた最新の製品で、１月から記憶容量が２５６ギガビットの製品を量産しているが、回路などを見直すことで５１２ギガビットとさらに大容量化。単位面積当たりの記憶容量も従来製品に比べ１．２倍に高まった。

　東芝の調べによると、５１２ギガビットの製品をサンプル供給するのは世界初という。量産は今年後半に始める。

　４月からは、これを１６段重ね、業界最大となる１テラ（１テラは１兆）ビットの容量を実現した製品もサンプル出荷する計画だ。

　６４層の３次元フラッシュメモリーは、サムスン電子も東芝とほぼ同時に量産を始めた。また、韓国のＳＫハイニックスは、今年後半から７２層の製品を量産する計画で、開発競争が激しさを増している。