東芝、サムスン上回る「48層タイプ」実現 3次元半導体で新技術 (1/3ページ)

2015.3.25 06:17

 東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体のうち「3次元タイプ」のNAND型フラッシュメモリーで、韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが24日、わかった。3次元メモリーは記憶素子を垂直に重ねて記憶容量を増やす技術。サムスンが量産化した32層に対し、東芝は新たに48層タイプを開発した。スマホなどに保存できるデータの一層の大容量化に道を開くことになる。近くサンプルを出荷し、今年後半にも量産を開始する。

 記憶用半導体は従来、記憶素子を平面に並べ、回路線幅を縮めて容量を拡大する微細化技術が主流だった。東芝は世界最小の回路線幅15ナノ(ナノは10億分の1)メートルの量産を行い、サムスンを一歩リードしている。ただ、微細化は限界に来ており、各社とも積層タイプの3次元メモリーの開発に力を入れている。

 3次元メモリーは記憶素子を積むほど、容量が大きくなる利点がある。だが、工程数が増え、製造コストがかかるのが大きな課題となっていた。

昨年から量産を開始しているサムスンも不良品率が高く、採算面で厳しいとの指摘もある

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