東芝、サムスン上回る「４８層タイプ」実現　３次元半導体で新技術 (1/3ページ)

　東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体のうち「３次元タイプ」のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーで、韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが２４日、わかった。３次元メモリーは記憶素子を垂直に重ねて記憶容量を増やす技術。サムスンが量産化した３２層に対し、東芝は新たに４８層タイプを開発した。スマホなどに保存できるデータの一層の大容量化に道を開くことになる。近くサンプルを出荷し、今年後半にも量産を開始する。

　記憶用半導体は従来、記憶素子を平面に並べ、回路線幅を縮めて容量を拡大する微細化技術が主流だった。東芝は世界最小の回路線幅１５ナノ（ナノは１０億分の１）メートルの量産を行い、サムスンを一歩リードしている。ただ、微細化は限界に来ており、各社とも積層タイプの３次元メモリーの開発に力を入れている。

　３次元メモリーは記憶素子を積むほど、容量が大きくなる利点がある。だが、工程数が増え、製造コストがかかるのが大きな課題となっていた。

昨年から量産を開始しているサムスンも不良品率が高く、採算面で厳しいとの指摘もある